Vermogen elektronisch substraat

Vermogen elektronisch substraat

Vermogenselektronische substraten zijn een soort materiaal dat wordt gebruikt bij de constructie van vermogenselektronische componenten zoals vermogensmodules, omvormers en converters. Ze zijn doorgaans gemaakt van keramiek of ander materiaal dat bestand is tegen hoge temperaturen en dat zorgt voor een robuuste, hoge thermische geleidbaarheid en betrouwbare elektrische isolatie. Deze substraten zijn ontworpen om de nodige ondersteuning en thermisch beheer te bieden voor vermogenselektronische componenten, waardoor ze efficiënt en betrouwbaar kunnen werken.

Substraten voor vermogenselektronica worden gebruikt in verschillende toepassingen, zoals motoraandrijvingen, systemen voor hernieuwbare energie, elektrische voertuigen en andere toepassingen voor vermogenselektronica. Ze zijn speciaal ontworpen voor toepassingen met hoog vermogen waarbij thermisch beheer cruciaal is voor een efficiënte werking. Keramiek op hoge temperatuur, zoals aluminiumnitride (AlN) of siliciumcarbide, kan bijvoorbeeld tot tien keer beter warmte geleiden dan metalen zoals koper, waardoor het uitstekende materialen zijn voor toepassingen op het gebied van vermogenselektronica.

Naast hun hoge temperatuur- en thermische geleidbaarheidseigenschappen bieden vermogenselektronicasubstraten uitstekende elektrische isolatie, wat essentieel is in vermogenselektronica. Elektrische isolatiematerialen voorkomen kortsluiting en beschermen tegen schade door hoge spanningen, waardoor elektronische componenten veilig en betrouwbaar zijn.

Over het geheel genomen zijn vermogenselektronische substraten essentiële materialen voor de constructie van vermogenselektronische componenten. Hun hoge temperatuur- en thermische geleidbaarheidseigenschappen, gecombineerd met uitstekende elektrische isolatie, maken ze een ideale keuze voor vermogenselektronicatoepassingen die een hoge betrouwbaarheid en efficiënt thermisch beheer vereisen.

Het elektronische substraat Torbo® Power

Artikel: Vermogen elektronisch substraat

Materiaal: Si3N4

Kleur: grijs

Dikte: 0,25-1 mm

Oppervlakteverwerking:dubbel gepolijst

Bulkdichtheid: 3,24 g/㎤

Oppervlakteruwheid Ra: 0,4 μm

Buigsterkte: (3-puntsmethode): 600-1000Mpa

Elasticiteitsmodulus: 310Gpa

Breuktaaiheid (IF-methode): 6,5 MPa･√m

Thermische geleidbaarheid: 25°C 15-85 W/(m･K)

Diëlektrische verliesfactor: 0,4

Volumeweerstand: 25°C >1014 Ω･㎝

Doorslagsterkte: DC >15㎸/㎜