Siliciumcarbidesubstraat

Siliciumcarbide substraat:

A. Grondstof: SiC wordt niet op natuurlijke wijze geproduceerd, maar wordt gemengd met silica, cokes en een kleine hoeveelheid zout, en de grafietoven wordt verwarmd tot meer dan 2000 ° C en de A-SIC wordt gegenereerd. Voorzorgsmaatregelen: er kan een donkergroen blokvormig polykristallijn samenstel worden verkregen;

B. Productiemethode: De chemische stabiliteit en thermische stabiliteit van SiC zijn zeer goed. Het is moeilijk om verdichting te bereiken met behulp van gebruikelijke methoden, dus het is noodzakelijk om een ​​gesinterd hulpmiddel toe te voegen en speciale methoden te gebruiken om te bakken, meestal door middel van vacuümthermische persmethode;

C. Kenmerken van het SiC-substraat: Het meest onderscheidende kenmerk is dat de thermische diffusiecoëfficiënt bijzonder groot is, zelfs meer koper dan koper, en dat de thermische uitzettingscoëfficiënt dichter bij Si ligt. Natuurlijk zijn er enkele tekortkomingen, relatief gezien is de diëlektrische constante hoog en is de isolatie bestand tegen spanning slechter;

D. Toepassing: voor siliciumcarbide substraatn, lange verlenging, meervoudig gebruik van laagspanningscircuits en VLSI-pakketten met hoge koeling, zoals LSI-tape met hoge snelheid, hoge integratielogica en supergrote computers, lichtcommunicatiekredietlaserdiodesubstraattoepassing, enz.

Kastsubstraat (BE0):

De thermische geleidbaarheid is meer dan twee keer zo hoog als die van A1203, wat geschikt is voor circuits met hoog vermogen, en de diëlektrische constante is laag en kan worden gebruikt voor hoogfrequente circuits. Het BE0-substraat wordt in principe gemaakt via een droge drukmethode en kan ook worden geproduceerd met behulp van een sporenhoeveelheid MgO en A1203, zoals een tandemmethode. Vanwege de toxiciteit van het BE0-poeder is er een milieuprobleem en is het BE0-substraat niet toegestaan ​​in Japan, het kan alleen worden geïmporteerd uit de Verenigde Staten.